砷、磷重擴散之源汲金氧半電晶體之元件特性

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DC 欄位	值	語言
dc.contributor.author	陳文洋	en_US
dc.contributor.author	CHEN, WEN-YANG	en_US
dc.contributor.author	雷添福	en_US
dc.contributor.author	LEI, TIAN-FU	en_US
dc.date.accessioned	2014-12-12T02:03:40Z	-
dc.date.available	2014-12-12T02:03:40Z	-
dc.date.issued	1985	en_US
dc.identifier.uri	http://140.113.39.130/cdrfb3/record/nctu/#NT742430026	en_US
dc.identifier.uri	http://hdl.handle.net/11536/52429	-
dc.description.abstract	本文主要探討砷磷重擴散之源汲金氧半電晶體之元件特性，n 通道金氧半電晶體是利用雙井區互補場效晶體製程製作。元件的形成是設計元件的相關結構再調整製作參數以達到最佳特性，相關的製作參數以達到最佳特性，相關的製作參數包括閘層氧化厚度，植入劑量與能量等。由實驗的結果顯示，重擴散元件較適合於元件縮小的需求。相似類型的結構還包括LDD ，但是LDD 結構的元件其對稱性與可靠較差，此乃肇因於串聯電阻過大；因此，砷磷重擴散元件仍為較佳元件。	zh_TW
dc.language.iso	zh_TW	en_US
dc.subject	砷	zh_TW
dc.subject	磷	zh_TW
dc.subject	擴散	zh_TW
dc.subject	金氧半電晶體	zh_TW
dc.subject	電晶體	zh_TW
dc.subject	元件	zh_TW
dc.title	砷、磷重擴散之源汲金氧半電晶體之元件特性	zh_TW
dc.type	Thesis	en_US
dc.contributor.department	電子研究所	zh_TW
顯示於類別：	畢業論文