晶片之內部處理法對元件基本特性之影響

Abstract

內部處理法最近獲得莫大的重視，它是利用矽晶圓中氧的有利的邊際效應。在這論文 中，運用修正方三級階段的溫度處理來研究內部處理法及複晶矽的加強式處理法。利 用金七羊半電容的回復時間和二極體的漏電流來研究特殊處理法的效果。運用這種特 殊處理法的製程於實際元件製程上已經證明能有效地增加金氧半電容的回復時間及減 少二極體的漏電流。再者，這種特殊處理法的製程亦能改善二極體的崩潰特性，由柔 軟式崩潰轉變成堅硬式崩潰。在特殊處理法的效果上最後一級高溫階段的時間長短是 一個決定性的因素。我們發現時間在8 到12小時之間，可以得到最佳的特殊處理法的 效果。