變容器調諧微波砷化鎵電晶體振盪器之設計及製作

Abstract

本篇使用砷化鎵半場效電晶體，用微波積體線路技術以散射係數及反射係數為主要設 計參數，嘗試設計及製造－C 頻段，寬頻的變容調諧振盪器，而以Hyperabrupt 之可 變容二極體為調換頻率線路之主要元件。 設計重點著眼於： １．負電阻特性及其回授線路。 ２．調換頻率的頻寬。 ３．輸出線路匹配之設計。 ４．線性的頻率調換。 最後將討論實驗結果。