完整後設資料紀錄
DC 欄位語言
dc.contributor.author洪維新en_US
dc.contributor.authorHONG, WEI-XINGen_US
dc.contributor.author傅祥en_US
dc.contributor.authorFU, XIANGen_US
dc.date.accessioned2014-12-12T02:03:49Z-
dc.date.available2014-12-12T02:03:49Z-
dc.date.issued1985en_US
dc.identifier.urihttp://140.113.39.130/cdrfb3/record/nctu/#NT742436022en_US
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/11536/52482-
dc.description.abstract本篇使用砷化鎵半場效電晶體,用微波積體線路技術以散射係數及反射係數為主要設 計參數,嘗試設計及製造-C 頻段,寬頻的變容調諧振盪器,而以Hyperabrupt 之可 變容二極體為調換頻率線路之主要元件。 設計重點著眼於: 1.負電阻特性及其回授線路。 2.調換頻率的頻寬。 3.輸出線路匹配之設計。 4.線性的頻率調換。 最後將討論實驗結果。zh_TW
dc.language.isozh_TWen_US
dc.subject砷化鎵zh_TW
dc.subject微波zh_TW
dc.subject電晶體zh_TW
dc.subject砷化鎵電晶體zh_TW
dc.subject振盪器zh_TW
dc.subject變容器zh_TW
dc.title變容器調諧微波砷化鎵電晶體振盪器之設計及製作zh_TW
dc.typeThesisen_US
dc.contributor.department電信工程研究所zh_TW
顯示於類別:畢業論文