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dc.contributor.author吳德源en_US
dc.contributor.authorWU, DE-YUANen_US
dc.contributor.author陳茂傑en_US
dc.contributor.authorCHEN, MAO-JIEen_US
dc.date.accessioned2014-12-12T02:04:25Z-
dc.date.available2014-12-12T02:04:25Z-
dc.date.issued1986en_US
dc.identifier.urihttp://140.113.39.130/cdrfb3/record/nctu/#NT752430025en_US
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/11536/52925-
dc.description.abstract本文之研究利用離子植入法,將7 * 10□□㎝□□劑量的As□或P□ 離子以適當能量 植入(非晶矽)/(鈦)/(單晶矽基底)或(非晶矽)/(鈦)/(複晶矽基底) 的結構中,然後加以600及780 ℃ 各40分鐘之兩段式熱回火處理可以同時形成矽 化鈦膜及其底下之一N□/P淺接面。離子的能量控制務必使該等離子植入於鈦金屬 層內或(鈦)/(矽基底)之界面附近。上述方法所得之矽化鈦膜的電阻係數可低 至16∼17 ㎝,而且矽化鈦膜的表面及其矽化基底的接觸面都顯得較為平滑均勻。 同時,所得之N□/P 淺接面的接面深度只有0.08 m ,且崩潰電壓大於26伏特,足 夠未來超大積體電路之需求。唯一缺點是反偏壓漏電比一般傳統的N□╱P接面為大 可能是由於接面週邊的表面漏電所引起。應用上述同時形成的矽化鈦膜及N□/P 淺接面的結果於自動校正金屬矽化技術(Salicide Technology )而以簡單製程製 作之SALICIDE MOSFET ,具有傳統結構之SALIOIDE MOSFET 元件大致相同的電氣特 性。zh_TW
dc.language.isozh_TWen_US
dc.subject離子植入zh_TW
dc.subject矽化鈦膜zh_TW
dc.subjectN□P接面zh_TW
dc.subject非晶矽zh_TW
dc.subjectzh_TW
dc.subject單晶矽基底zh_TW
dc.subject超大積體電路zh_TW
dc.subject矽化技術zh_TW
dc.subjectVLSIen_US
dc.subjectSALICIDE-TECHNOLOGYen_US
dc.title以離子植入法在矽化鈦膜之下形成N□P淺接面zh_TW
dc.typeThesisen_US
dc.contributor.department電子研究所zh_TW
顯示於類別:畢業論文