矽化鉑的特性及其在互補式金氧半超大型積體電路上之應用

Abstract

本論文首先對不同溫度的退火處理對鉑矽化物特性的影響做了基礎性的研究。實驗發 現，鉑不會和氧化層起反應，即使薄如２４□的氧化層，都可以達成阻融鉑和矽發生 反應的目的。但是，如果薄氧化層有許多針孔，鉑會穿過針孔和矽反應形成很好的矽 化鉑。實驗同時發現４５０－６００℃是最好的退好處理溫度。以這些特性為基礎， 我們提出一個簡單可靠的製程，用矽化鉑為材料，做出電特生和傳統的PMOS元件相當 的新型「蕭特基位障PMOS「（Schottky Barrier PMOS 或S•B•PMOS），克服了以往 S•B•PMOS元件諸如電流驅動能力偏低，汲極漏電流偏高等缺點。最後，我們發展代 一個以最佳化方法提取元件模型參數的程式，成功地取出新型S•B•PMOS元件的SPIC E 參數，這表示現有的SPICE 模型可以準確地計算新型S•B•PMOS元件的電特性而不 需做任何修正。