金氧半產品之靜電破壞

Abstract

由於半導體技術的發展趨向於更複雜，包裝密度更高，與較薄的絕緣氧化層，因此VL SI之金氧半產品對於靜電的破壞也就愈為敏感了。為了設計一有效的靜電保護線路， 我們必須對於靜電的產生原因與效應加以了解。 本文道先介紹一些有關靜電的基本觀念，包括，靜電產生的原因，放電模式，靜電破 壞的種類，以及保護線路的設計要領。接著，分別對三種不同的商業IC之保護線路原 理，耐靜電能力，及其遭受靜電破壞的原因，做詳細探討。測試方法主要為模擬在不 同的人體模式串／並聯電阻／電容值下，所產生的靜電效應；分析工具則包括了示波 器，光學顯微鏡，SEM ，以及液晶顯相等。最後共對此三個保護絡路的電路特性做 SPICE 模擬分析。 依此探討保護線路受靜電破壞的原因與放電路徑後，我們可加強此線路上較弱元件的 結構，在不顯響其電路特性的原則下。增加IC承受靜電的能力。