完整後設資料紀錄
DC 欄位 | 值 | 語言 |
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dc.contributor.author | 林東亮 | en_US |
dc.contributor.author | LIN, DONG-LIANG | en_US |
dc.contributor.author | 桂正楣 | en_US |
dc.contributor.author | GUI, ZHENG-MEI | en_US |
dc.date.accessioned | 2014-12-12T02:04:27Z | - |
dc.date.available | 2014-12-12T02:04:27Z | - |
dc.date.issued | 1986 | en_US |
dc.identifier.uri | http://140.113.39.130/cdrfb3/record/nctu/#NT752430045 | en_US |
dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/11536/52947 | - |
dc.description.abstract | 本文提出一個改良區域電漿近似來探討原子或分子及固骿的廣義振盪強度,能量損耗 函數,及平均激發能量。在模式中,我們採用位置及能量相關的改良區域電漿頻率。 自由原子的電荷密度分佈使用Hartree-Fock-Slater 模式。固體原子的電荷密度分 佈則採用Hartree-Fock-Wigner-Seitz模式或Moruzzi-Janak-Williams模式。在 分子平均激發能量的計算,我們加入了鍵結強度修正來模擬分子鍵結效應。最後,將 計算所得之結果和其他理論值及實驗值加以比較。 | zh_TW |
dc.language.iso | zh_TW | en_US |
dc.subject | 區域電漿近似法 | zh_TW |
dc.subject | 原子 | zh_TW |
dc.subject | 振盪強度 | zh_TW |
dc.subject | 能量損耗函數 | zh_TW |
dc.subject | 平圴激發能量 | zh_TW |
dc.subject | 電荷密度 | zh_TW |
dc.subject | 固體 | zh_TW |
dc.subject | 鍵結強度 | zh_TW |
dc.title | 區域電漿近似於原子及固體之應用 | zh_TW |
dc.type | Thesis | en_US |
dc.contributor.department | 電子研究所 | zh_TW |
顯示於類別: | 畢業論文 |