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dc.contributor.author林東亮en_US
dc.contributor.authorLIN, DONG-LIANGen_US
dc.contributor.author桂正楣en_US
dc.contributor.authorGUI, ZHENG-MEIen_US
dc.date.accessioned2014-12-12T02:04:27Z-
dc.date.available2014-12-12T02:04:27Z-
dc.date.issued1986en_US
dc.identifier.urihttp://140.113.39.130/cdrfb3/record/nctu/#NT752430045en_US
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/11536/52947-
dc.description.abstract本文提出一個改良區域電漿近似來探討原子或分子及固骿的廣義振盪強度,能量損耗 函數,及平均激發能量。在模式中,我們採用位置及能量相關的改良區域電漿頻率。 自由原子的電荷密度分佈使用Hartree-Fock-Slater 模式。固體原子的電荷密度分 佈則採用Hartree-Fock-Wigner-Seitz模式或Moruzzi-Janak-Williams模式。在 分子平均激發能量的計算,我們加入了鍵結強度修正來模擬分子鍵結效應。最後,將 計算所得之結果和其他理論值及實驗值加以比較。zh_TW
dc.language.isozh_TWen_US
dc.subject區域電漿近似法zh_TW
dc.subject原子zh_TW
dc.subject振盪強度zh_TW
dc.subject能量損耗函數zh_TW
dc.subject平圴激發能量zh_TW
dc.subject電荷密度zh_TW
dc.subject固體zh_TW
dc.subject鍵結強度zh_TW
dc.title區域電漿近似於原子及固體之應用zh_TW
dc.typeThesisen_US
dc.contributor.department電子研究所zh_TW
顯示於類別:畢業論文