氮化單(複)晶氧化矽之折射率研究

Abstract

在本論文中藉著折射率的剖面圖來看單晶氧化矽及複晶氧化矽之氮化特性，實驗發現 ，在氮化單晶氧化矽的表面有一折射率其高的高薄層；一般相信此層形成類似氣化矽 的結構，此寬寬度約１０□－３０□氮化晶氧化矽薄膜之折射率約略隨著時間及溫度 的增加，但是增加率會慢下來，而逐漸地到達它們的飽和值，複晶氧化矽之氮化過程 與單晶氧化矽類似，只不過氮化複替氧化矽表面之折射率較氮化單晶氧化矽為低罷了 。