磊晶互補式金氧半超大型積體電路中井狀保護環的製造，測試及最佳設計

Abstract

以互補式金氧半場效電晶體技術為主流的超大型積體電路本身會寄生無數個雙極性元 件，由於系統的複雜性，這些寄生雙極性電晶體經常放出少數載子，對於內部電路造 成干擾現象，如暫存記憶錯誤，漏電流增加及銷住等，為了捕捉這些少數載子，我們 設計了不同的井戕保護環結構並使用數種不同磊晶層厚度的晶片進行晶圓製造，隨即 做一完整的晶圓電性自動化測試以建立實驗數據。 另外，我們也同時進行了一套元件模擬器開發應用，以建立計算機輔助設計工具，模 擬預測結果與實驗數據比較，十分吻合。 最後，我們亦應用已證實成功的模擬器進行磊晶片的最佳設計。