標題: 在單/複晶矽上熱成長之氧化矽膜的模擬與分析及其在FLOTOX EEPROM元件設計上的應用
Modelings and characterizations of thermal oxide films grown on single crystalline/ polycrystalline silicon and their applications in FLOTOX EEPROM device design
作者: 陳秋峰
Chen, Qiu-Feng
吳慶源
Wu, Qing-Yuan
電子研究所
關鍵字: 單晶矽;氧化矽模;電流;介電崩潰;電子工程;FLOTOX-EEPROM;ELECTRONIC-ENGINEERING
公開日期: 1986
摘要: 為了探討在單晶矽晶片上生長薄氧化矽膜,我們提出一修正的理論模式,以深入分析 薄氧化矽膜在斜坡電壓加壓與固定電流激發下所呈現的特性。此一模式包括下述重要 效應,動態陷阱(即捕捉與釋放電子)效應,撞擊游離引發的正電荷產生效應,以及 由弱點所引發的局部發射效應。利用此模式,可從薄氧化矽膜的斜坡電壓加壓下電流 -電壓測,量數據與固定電流激發下電壓-時間測量數據中獲取重要的物理參數,如 整體陷阱密度,陷阱捕捉截面積,陷阱產生速率,復合捕捉截面積,與介電崩潰電壓 。此外,基於弱點區域可聚集撞擊游離產生之正電荷的假設,此一模式亦可正確的預 測氧化矽膜在固定電流激發下與時間相關的介電崩潰。 此一模式經電腦模擬與分析後指出,若薄氧化矽膜的陷阱效應愈嚴重,則其在斜坡電 壓加壓下的漏電愈小且崩潰電壓愈大,但在固定電流激發下活期愈短。此外,若陷阱 的平均位置愈靠近陽極,正電荷的復合捕捉截面積愈小,或弱點區占有較大的面積, 則薄氧化矽的活期愈長。
URI: http://140.113.39.130/cdrfb3/record/nctu/#NT754430003
http://hdl.handle.net/11536/53163
顯示於類別:畢業論文