標題: | LDD 金氧半電晶體本質電容模式 |
作者: | 邱垂青 GIU, CHUI-GING 莊紹勳 ZHUANG, SHAO-XUN 電子研究所 |
關鍵字: | 低摻雜汲極;金氧半電晶體;電路;時序模擬;電荷密度公式;二維的元件模擬器;電荷守□;通道電荷劃分法;LDD;MOSFET |
公開日期: | 1987 |
摘要: | 隨著超大型積體電路的發展,金氧半電晶體(MOSFET)的通道越來越短,低摻雜汲極 (LDD )金氧半電晶體也日重視。一個準確的LDD MOSFET)本質電容模式,對超大型 積體電路功能的預測,尤其是在電路或時序模擬上的應用,是相當重要的。本論文提 出一新的模式以分析短通道LDD MOSFET的本質電容特性。它係由基本的電荷密度公式 及二維的MOSFET元任模擬器推導出來。此一模式合乎電荷守□及合理的通道電荷劃分 法,並且考慮二維的電場效應。模擬結困顯示,電子漂移速度的飽和效應是造成短通 道和長通道元作特性不同的主要原因。模擬結果和實驗結果相較,證實本論文的新模 式較解析模式(Analytical model)準確可靠。 |
URI: | http://140.113.39.130/cdrfb3/record/nctu/#NT762430008 http://hdl.handle.net/11536/53391 |
顯示於類別: | 畢業論文 |