LDD 金氧半電晶體本質電容模式

Abstract

隨著超大型積體電路的發展，金氧半電晶體（MOSFET）的通道越來越短，低摻雜汲極 （LDD ）金氧半電晶體也日重視。一個準確的LDD MOSFET）本質電容模式，對超大型 積體電路功能的預測，尤其是在電路或時序模擬上的應用，是相當重要的。本論文提 出一新的模式以分析短通道LDD MOSFET的本質電容特性。它係由基本的電荷密度公式 及二維的MOSFET元任模擬器推導出來。此一模式合乎電荷守□及合理的通道電荷劃分 法，並且考慮二維的電場效應。模擬結困顯示，電子漂移速度的飽和效應是造成短通 道和長通道元作特性不同的主要原因。模擬結果和實驗結果相較，證實本論文的新模 式較解析模式（Analytical model）準確可靠。