一種新式結構導向一度空間矽雙載子模擬器

Abstract

一種新式結構導向一度空間雙載子模擬器已被發展出來以大幅改進計算效率並能精確 預測雙載子元件的行為特性。此模擬器主要由三種不同結構區域之數值分析組成：ぇ 在射極區之少數載子注入方程式之數值求解；え在基極與射極間的空乏區之波義生方 程式之數值求解；以及ぉ在基極和集極區域上波義生方程式以及多數載子電流傳導方 程式之數值求解。每一區域之數值求解彼此互為獨立，除了能精確預測雙載子元件的 行為特性外，在雙載子電晶體結構上的最佳化設計及統計分析上更能顯出其優越性能 。雙載子在高注入條件下的行為已透過此模擬器取得進一步的認識並已獲致證實。此 外，我們並已提出此模擬器的未來應用及其改進要點。