二維砷化鎵金半場效電晶體特性模擬

Abstract

本論文利用一組偏微分方程式來模擬電場和電子濃度在砷化鎵金半場效電晶體（GaA- s MESFET）中的表現，並以有限元素分析法來求得偏微分方程式的數值解。所發展出 來的程能求得元件穩定態及暫態的特性。以一微米閘極長度的元件為例，模擬所得的 結果，如電流一電壓特性曲線和小訊號參數等，約和由真實的元件所量的結果相近。 本程式能模擬任何形狀的元件，如在微波方面廣泛地被採用的凹形閘極結構的元件。 另外，本論文也分析了金半場效電晶體做為開關元件時的暫態特性。