互補式金氧半超大型積體電路中基座轉移電阻之模擬

Abstract

本論文旨在探討在互補式金氧半超大型積體電路晶片中因井區寄生射極動作而導致基 座之電壓下降，類似柏松方程式的二度空間數值分析已經徹底研究以計算基座表面電 壓下降的情形。將基座表面電壓分佈除上基座╱井座總電流可得與位置相關的基座轉 移電阻，由井座中活性射極橫血及縱向注入電流於井座中的現象在本篇論文中亦詳加 探討。由模擬所預測的結果與二度空間數值模擬軟體FIELDAY 的模擬結果吻合，此外 本篇論文用所提出的模型來計算基座中各種參數所產生的效應，這些預測值可化為良 好的設計規則用以保護由於井座中活性射極所產生的干擾。