毫米波與微波單石寬頻傳送波放大器積體電路

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DC 欄位	值	語言
dc.contributor.author	鍾炳文	en_US
dc.contributor.author	ZHONG, BING-WEN	en_US
dc.contributor.author	蘇翔	en_US
dc.contributor.author	莊晴光	en_US
dc.contributor.author	SU, XIANG	en_US
dc.contributor.author	ZHUANG, GING-GUANG	en_US
dc.date.accessioned	2014-12-12T02:05:04Z	-
dc.date.available	2014-12-12T02:05:04Z	-
dc.date.issued	1987	en_US
dc.identifier.uri	http://140.113.39.130/cdrfb3/record/nctu/#NT762430037	en_US
dc.identifier.uri	http://hdl.handle.net/11536/53422	-
dc.description.abstract	本論文主要在談論砷化鎵金半場效電晶體與耦合微帶差動對傳送放大器之特性。ぇ它可增加訊號╱雜訊比，換句話它可提高對雜訓免疫能力。え定電流源可減少元件參數對周遭環境之變化。ぉ沒有接地平面，沒有Via Hole，全部訊號可在上平面加入。お使用耦合微帶能量更能集中於微帶之間。か介電常數對頻率變化小，因此耗散小。が增益約３db±０．５db，頻寬從DC到１５GHz。	zh_TW
dc.language.iso	zh_TW	en_US
dc.subject	毫米波	zh_TW
dc.subject	微波	zh_TW
dc.subject	積體電路	zh_TW
dc.subject	砷化鎵	zh_TW
dc.subject	介電常數	zh_TW
dc.subject	VIA, HOLE	en_US
dc.title	毫米波與微波單石寬頻傳送波放大器積體電路	zh_TW
dc.type	Thesis	en_US
dc.contributor.department	電子研究所	zh_TW
顯示於類別：	畢業論文