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dc.contributor.author周勝雄en_US
dc.contributor.authorZHOU, SHENG-XIONGen_US
dc.contributor.author吳重雨en_US
dc.contributor.authorWU, CHONG-YUen_US
dc.date.accessioned2014-12-12T02:05:04Z-
dc.date.available2014-12-12T02:05:04Z-
dc.date.issued1987en_US
dc.identifier.urihttp://140.113.39.130/cdrfb3/record/nctu/#NT762430043en_US
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/11536/53429-
dc.description.abstract本論文將以加一個交流的電壓在閘極上來研討本體互補式金氧半短通道元件的崩潰行 為。一個高頻閘極時脈產生一個比例於閘極時脈頻率和振幅的電洞再結合電流。由於 這個電洞再結合電流的產生，發現衝擊離子化（impact ionization ）的過程會迥然 不同於在直流工作下的情形，結果導致一個特殊的崩潰機構。寄生的雙載子活動將影 響造成雪崩增加（avalanche multiplication）的條件，在決定崩潰電壓時，它也扮 演一個重要的角色。實驗結果指出這些效應和閘極時脈的頻率有關，而且當閘極時脈 頻率升高時，崩潰電壓將隨著閘極脈振幅的增加而降低。zh_TW
dc.language.isozh_TWen_US
dc.subject短通道zh_TW
dc.subject互補式金氧半元件zh_TW
dc.subject金氧半元件zh_TW
dc.subject交流zh_TW
dc.subject高頻閘極時脈zh_TW
dc.subject閘極時脈zh_TW
dc.subject崩潰機構zh_TW
dc.subject雪崩增加zh_TW
dc.subjectAVALANCHE-MULTIPLICATIONen_US
dc.title短通道互補式金氧半元件在交流工作下的崩潰行為zh_TW
dc.typeThesisen_US
dc.contributor.department電子研究所zh_TW
顯示於類別：畢業論文


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