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DC 欄位 | 值 | 語言 |
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dc.contributor.author | 黃俊雄 | en_US |
dc.contributor.author | HUANG, JUN-XIONG | en_US |
dc.contributor.author | 龍文安 | en_US |
dc.contributor.author | LONG, WEN-AN | en_US |
dc.date.accessioned | 2014-12-12T02:05:11Z | - |
dc.date.available | 2014-12-12T02:05:11Z | - |
dc.date.issued | 1987 | en_US |
dc.identifier.uri | http://140.113.39.130/cdrfb3/record/nctu/#NT762500011 | en_US |
dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/11536/53521 | - |
dc.description.abstract | 本研究係在基材表面塗佈較厚的下層為平坦層,約1.6∼2um,及較薄的上層為影 像層,約0.4∼0.6um 。將上層顯影的圖案作為密接式光罩,即攜附式光罩( Portable Comformable Mask,PCM ),再以乾或溼蝕刻方法將上層圖案轉移至下層 。 攜附式光罩複層阻劑系統對於阻劑感度,圖案線幅控制,高寬比,輪廓,影像聚焦容 許度,鄰近效應,電荷效應及最重要的解像度等單層阻劑系統所遭遇的困難皆有所改 良。 本論文是研究兼具氧電漿及深紫外光攜附式光罩之複層阻劑系統。以有機矽聚合物為 上層,因Si╱C 比值高故可耐氧電漿蝕刻性強。以PMMA或其共聚物為下層,屬碳氫化 合物,不耐氧電漿蝕刻。此上層系統,可做為下層的氧電漿攜附式光罩。 另外PMMA可混摻自製之深紫外線交聯劑;4,4′-Diazido -3,3′-dichloro -diphenylmethane (簡稱Bisazide),經252nm曝光後可與PMMA產生交聯,是非 常靈敏的負型光阻系統。Bisazide(30wt%)╱PMMA lum膜厚,感度約為100mj ╱cm□。因有機矽聚合物在深紫外光220∼290nm區有極強的吸收,故上層以3 34nm曝光顯影後,再以252nm曝光,上層可作為下層的深紫外光攜附式光罩。 如僅以PAMM或其共聚物為下層,不加交聯劑做正型阻劑,因感度不佳,所需曝光劑量 甚大,上層亦產生光漂白作用,無法做為攜附式光罩。 本研究使用雷射干涉法,配合500瓦汞一氙燈光源,進行了曝光劑量,膜厚,顯影 時間及溶解速率相互間關係之動態測量。 | zh_TW |
dc.language.iso | zh_TW | en_US |
dc.subject | 氧電漿 | zh_TW |
dc.subject | 深紫外光 | zh_TW |
dc.subject | 攜附式光罩 | zh_TW |
dc.subject | 負型光阻系統 | zh_TW |
dc.subject | PORTABLE-COMFORMABLE-MASK | en_US |
dc.subject | PCM | en_US |
dc.title | 氧電漿及深紫外光攜附式光罩之研究 | zh_TW |
dc.type | Thesis | en_US |
dc.contributor.department | 應用化學系碩博士班 | zh_TW |
顯示於類別: | 畢業論文 |