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dc.contributor.author塗明隆en_US
dc.contributor.authorTU, MING-LONGen_US
dc.contributor.author趙書琦en_US
dc.contributor.authorZHAO, SHU-GIen_US
dc.date.accessioned2014-12-12T02:05:22Z-
dc.date.available2014-12-12T02:05:22Z-
dc.date.issued1988en_US
dc.identifier.urihttp://140.113.39.130/cdrfb3/record/nctu/#NT772123027en_US
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/11536/53679-
dc.description.abstractPiet Betgveld〔2〕〔3〕 是第一個應用這個原理的學者,利用去掉金屬閘門的MO -SFET 來測量pH值,感測氫離子,製作所謂離子感測場效電晶體(ISFET ,Ion-Sens -itive Field-Effect-Transistor),緊跟著在Bergveld之後Matuse〔4〕也發展成 功了一種ISFET 元件在含鹽類水溶液中應用,Matuse的元件也是應用半導體技術製造 完成,只是Matuso使用了二氧化矽-氮化矽薄膜(SiO-SiN )做為絕緣層而Bergveld 僅用氧化層(SiO) 做為絕緣層;其後Esashi又和Matuso〔5〕應用FET 原理共同發 展出多離子感測器,用於感測氫離子(H) 和鈉離子(Na),以上這些感測原件就是 我們所謂的化學感測半導體元件(Chemical Sensitive Semiconductor Devices,CS -SD's )〔6〕〔7〕中的一類。 另外一種在MOSFET的絕緣層上面(SiO和SiN)鍍上一層YSZ(yttria-stabilized-zir -conia)〔8〕然後在其上鍍上白金做為電極的元件,可用來測定O 的存量;還有一 種令人感到興趣但不是用來測定離子的MOSFET型元件是以Palladium 做為金屬閘門〔 9〕〔10〕〔11〕〔12〕,可用來感測氫氣,利用氫氣會吸附在Pd表面並且會 分解成氫原子穿透Pd薄膜,在Pd和二氧化矽之間的界面引起極化層(dipole layer) 的原理,而改變MOSFET的啟動電位(threshold voltage );也有些研究是專注於Pd 閘門下的絕緣層物質〔13〕,例如,以不同的絕緣層如AlO 和TaO 等來研究這些物 質對於以Pd為閘門的MISFET氫氣感測器所產生的影響;我們的研究方向是製作如上述 MOSFET類元件,而且因為Pt和Pd有類似的化學活性,所以我們選擇了Pt來做為氫氣感 測器元件的閘門。zh_TW
dc.language.isozh_TWen_US
dc.subject感測氫氣zh_TW
dc.subject電晶體元件zh_TW
dc.subject研製zh_TW
dc.subject化學感應半導體元zh_TW
dc.subject絕緣層zh_TW
dc.subjectMOSen_US
dc.subjectMOSFETen_US
dc.subjectPALLADIUMen_US
dc.title感測氫氣MOS電晶體元件之研製和測試zh_TW
dc.typeThesisen_US
dc.contributor.department光電工程學系zh_TW
顯示於類別:畢業論文