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dc.contributor.author黃榮義en_US
dc.contributor.authorHUANG, RONG-YIen_US
dc.contributor.author李建平en_US
dc.contributor.author雷添福en_US
dc.contributor.authorLI, JIAN-PINGen_US
dc.contributor.authorLEI, TIAN-FUen_US
dc.date.accessioned2014-12-12T02:05:24Z-
dc.date.available2014-12-12T02:05:24Z-
dc.date.issued1988en_US
dc.identifier.urihttp://140.113.39.130/cdrfb3/record/nctu/#NT772123044en_US
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/11536/53698-
dc.description.abstract在本論文中,我們已成功的使用液相磊晶的方法研製出二種砷化鎵╱砷化鋁鎵(GaAs /AlGaAs )半導體雷射陣列。此兩種結構均含有5條雷射單元,且適用於高功率的操 作,由於其結構簡單,因此易於製造且具有高產率。 第一種雷射陣列是利用質子植入法來作出其條狀結構。由於質子植入所產生的晶格破 壞提供了各雷射單元中電和光的侷限作用,但同時也造成植入區光吸收量的增加,我 們發現熱處理能減少植入區的光吸收量,且使植入區仍具有足夠大的電阻性使電流侷 限在各雷射單元中,因此經過熱處理的樣品具有較低的起始電流和較高的量子效率。 對一400μm長,鏡面沒鍍膜的雷射陣列,在室溫操作下的起始電流約200mA 左右,量子效率達60%,最高輸出功率達231mW,且具有單一縱向模的特性。 本論文中,我們還製造出脊狀結構雷射陣列。我們以光罩蝕刻法產生約1μm深5μ m寬的脊狀雷射單元。利用金╱鋅(Au/Zn )合金對砷化鎵的歐姆接觸和對砷化鋁鎵 的高電阻性,以對電流產生侷限作用。在此我們已製出在室溫操作下的起始電流約3 70mA,量子效率約37.4%,最高輸出功率達551mW且具有單一縱向模的 特性。zh_TW
dc.language.isozh_TWen_US
dc.subject砷化鎵zh_TW
dc.subject砷化鋁家zh_TW
dc.subject半導體zh_TW
dc.subject雷射陣列zh_TW
dc.subject侷限作用zh_TW
dc.subject單一縱向模zh_TW
dc.subject起始電流zh_TW
dc.subject量子效率zh_TW
dc.subjectASGAen_US
dc.subjectALGAASen_US
dc.subjectSTAR-ELECTRONIC-FLOWen_US
dc.title砷化鎵/ 砷化鋁鎵半導體雷射陣列之研製zh_TW
dc.typeThesisen_US
dc.contributor.department光電工程學系zh_TW
顯示於類別:畢業論文