標題: 金屬矽化物對砷化物對砷化鎵蕭特基接觸之研究
作者: 劉大宏
LIU, DA-HONG
李建平
雷添福
LI, JIAN-PING
LEI, TIAN-FU
光電工程學系
關鍵字: 砷化鎵;蕭特基;熱穩定性;交互作用;金半場效電晶體;ASGA
公開日期: 1988
摘要: 就砷化鎵金半場效電晶體(MESFET)的確實性和製程彈性而言,蕭特基接觸對砷化鎵 的熱穩定性是相當重要的。在本論文裡,研究了鎢、鉭、鉬、鎳和鈷金屬矽化物WSix ,TaSix ,M□Six ,NiSix 和C□Six 對砷化鎵之蕭特基特性以及它們的熱穩定性。 結果顯示在高溫下(>800℃),鎳、鈷和鉬金屬矽化物呈現熱不穩定性。鎢金屬 矽化物在X=2時,RBS分析顯示鎵或砷原子有向外擴散的現象,X=0.6時能 得到良好熱穩定蕭特基接觸。對鉭金屬矽化物我們做了一系列(0≦x≦2)之分析 ,RBS顯示在高溫退火處理後,含矽量較多的矽化物薄膜,鎵或砷原子向外擴散到 矽化物薄膜表面,含金屬量較高的矽化物薄膜有交互作用的現象,可能在矽化物和砷 化鎵界面形成金屬化合物。最穩定的蕭特基接觸是Ta□Si□,在退火處理溫度提高到 800℃時仍保持良好的Ta□Si□/GaAs 蕭特基接觸。 含矽量較高的矽化物薄膜,在高溫退火處理後,鎵原子向外擴散的現象,對於耐火金 屬均有此共同的特性。然而在矽化物表面上加蓋一層Si□N 或SiO□ 薄膜後,即可阻 止鎵原子向外擴散,只要布高溫退火處理後,金屬本身不和砷化鎵產生作用,就能保 持理想的蕭特基接觸。
URI: http://140.113.39.130/cdrfb3/record/nctu/#NT772123043
http://hdl.handle.net/11536/53697
顯示於類別:畢業論文