標題: 矽化鉭在砷化鋁鎵上蕭特基接觸之研究
作者: 陳偉業
CHEN, WEI-YE
李建平
雷添福
LI, JIAN-PING
LEI, TIAN-FU
光電工程學系
關鍵字: 矽化鉭;砷化鋁鎵;蕭特基;回火溫度;電性;熱穩定性;能障;ALGAAS
公開日期: 1988
摘要: 本文討論矽化鉭在不同鋁含,量之砷化鋁鎵薄膜上之特性分析,研究其蕭特基能障高 度對不同鋁含量的關係,及矽化鉭與砷化鋁鎵界面在高溫回火後是否穩定。 實驗結果顯示矽化鋁的莫耳分率增加至0.45,此能障高度增加至1.071電子 伏特;之後,砷化鋁的莫耳分率增加至0.7,能障高度減至0.977電子伏特。 實驗中亦對矽化鉭在砷化鋁莫耳分率為0.3的砷化鋁鎵薄膜上對不同回火溫度下電 性及熱穩定性的研究。我仉發現在750℃下回火30分鐘,此蕭特基二極體的能障 高度及理想因子分別為0.973電子伏特和1.28。比較850℃回火前後之拉 塞福後退散射光譜,矽化鉭在砷化鋁莫耳分率為0.3和0.4之砷化鋁鎵薄膜上具 有熱穩定特性。
URI: http://140.113.39.130/cdrfb3/record/nctu/#NT772123038
http://hdl.handle.net/11536/53692
顯示於類別:畢業論文