矽化鉭在砷化鋁鎵上蕭特基接觸之研究

Abstract

本文討論矽化鉭在不同鋁含，量之砷化鋁鎵薄膜上之特性分析，研究其蕭特基能障高 度對不同鋁含量的關係，及矽化鉭與砷化鋁鎵界面在高溫回火後是否穩定。 實驗結果顯示矽化鋁的莫耳分率增加至０．４５，此能障高度增加至１．０７１電子 伏特；之後，砷化鋁的莫耳分率增加至０．７，能障高度減至０．９７７電子伏特。 實驗中亦對矽化鉭在砷化鋁莫耳分率為０．３的砷化鋁鎵薄膜上對不同回火溫度下電 性及熱穩定性的研究。我仉發現在７５０℃下回火３０分鐘，此蕭特基二極體的能障 高度及理想因子分別為０．９７３電子伏特和１．２８。比較８５０℃回火前後之拉 塞福後退散射光譜，矽化鉭在砷化鋁莫耳分率為０．３和０．４之砷化鋁鎵薄膜上具 有熱穩定特性。