矽化鉭在砷化鋁鎵上蕭特基接觸之研究

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DC 欄位	值	語言
dc.contributor.author	陳偉業	en_US
dc.contributor.author	CHEN, WEI-YE	en_US
dc.contributor.author	李建平	en_US
dc.contributor.author	雷添福	en_US
dc.contributor.author	LI, JIAN-PING	en_US
dc.contributor.author	LEI, TIAN-FU	en_US
dc.date.accessioned	2014-12-12T02:05:23Z	-
dc.date.available	2014-12-12T02:05:23Z	-
dc.date.issued	1988	en_US
dc.identifier.uri	http://140.113.39.130/cdrfb3/record/nctu/#NT772123038	en_US
dc.identifier.uri	http://hdl.handle.net/11536/53692	-
dc.description.abstract	本文討論矽化鉭在不同鋁含，量之砷化鋁鎵薄膜上之特性分析，研究其蕭特基能障高度對不同鋁含量的關係，及矽化鉭與砷化鋁鎵界面在高溫回火後是否穩定。實驗結果顯示矽化鋁的莫耳分率增加至０．４５，此能障高度增加至１．０７１電子伏特；之後，砷化鋁的莫耳分率增加至０．７，能障高度減至０．９７７電子伏特。實驗中亦對矽化鉭在砷化鋁莫耳分率為０．３的砷化鋁鎵薄膜上對不同回火溫度下電性及熱穩定性的研究。我仉發現在７５０℃下回火３０分鐘，此蕭特基二極體的能障高度及理想因子分別為０．９７３電子伏特和１．２８。比較８５０℃回火前後之拉塞福後退散射光譜，矽化鉭在砷化鋁莫耳分率為０．３和０．４之砷化鋁鎵薄膜上具有熱穩定特性。	zh_TW
dc.language.iso	zh_TW	en_US
dc.subject	矽化鉭	zh_TW
dc.subject	砷化鋁鎵	zh_TW
dc.subject	蕭特基	zh_TW
dc.subject	回火溫度	zh_TW
dc.subject	電性	zh_TW
dc.subject	熱穩定性	zh_TW
dc.subject	能障	zh_TW
dc.subject	ALGAAS	en_US
dc.title	矽化鉭在砷化鋁鎵上蕭特基接觸之研究	zh_TW
dc.type	Thesis	en_US
dc.contributor.department	光電工程學系	zh_TW
顯示於類別：	畢業論文