標題: | 鋁化鈷在砷化鋁鎵上肖特基接觸特性之研究 |
作者: | 劉原龍 LIU,YUAN-LONG 陳茂傑 雷添福 張振雄 CHEN,MAO-JIE LEI,TIAN-FU ZHANG,ZHEN-XIONG 光電工程學系 |
關鍵字: | 鋁化鈷;砷化鋁鎵;肖特基接觸;莫耳分率;快速退火;能障 |
公開日期: | 1989 |
摘要: | 本文研究鋁化鈷/ 砷化鋁鎵在不同砷化鋁含量下的特性變化;並特別對鋁化鈷在砷化 鋁莫耳分率為0.3 的砷化鋁鎵上所形成的肖特基接觸,在不同條件退火後接觸特性作 深入探討。 實驗結果顯示鋁化鈷在液相磊晶成長之砷化鎵薄膜上的能障高度為0.797 電子伏特; 隨著砷化鋁的莫耳分率增加至 0.493,此能障高度增加至1.113 電子伏特;之後,砷 化鋁的莫耳分率增加至0.901 時,此能障高度減至1.043 電子伏特。 鋁化鈷在砷化鋁莫耳分率為 0.3的砷化鋁鎵薄膜上之肖特基接觸,經高溫退火後的結 果顯示,以快速退火法可得較為穩定的電性。快速退火處理后的能障高度變化小。在 退火時,如於樣品上覆蓋一層由電子鎗鍍的二氧化矽膜,則在850℃20 秒快速退火後 ,肖特基接觸的理想因子為1.11,能障高度為1.065 電子伏特。 |
URI: | http://140.113.39.130/cdrfb3/record/nctu/#NT782123028 http://hdl.handle.net/11536/54355 |
顯示於類別: | 畢業論文 |