鏑鋇銅氧化物高溫超導體摻錫之研究

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DC 欄位	值	語言
dc.contributor.author	陳禮廷	en_US
dc.contributor.author	CHEN, LI-TING	en_US
dc.contributor.author	溫增明	en_US
dc.contributor.author	WEN, ZENG-MING	en_US
dc.date.accessioned	2014-12-12T02:05:24Z	-
dc.date.available	2014-12-12T02:05:24Z	-
dc.date.issued	1988	en_US
dc.identifier.uri	http://140.113.39.130/cdrfb3/record/nctu/#NT772123055	en_US
dc.identifier.uri	http://hdl.handle.net/11536/53710	-
dc.description.abstract	對高溫超導體ＤｙＢａ□Ｃｕ□Ｏ□□d 摻錫以後的樣品ＤｙＢａ□Ｃｕ□□□x Ｓｎ□x Ｏ□□d ，ｘ＝０，０．０２５，０．０５，０．０７５，０．１，０．１５，０．２，０．２５，０．３，０．３５，０．４。我們分別以Ｘ光繞射電阻，交流感磁率Ｘac和臨界電流密度Ｊc 的測量，以及梅思堡效應作了一系列的探討。實驗結果顯示：只要摻入的錫不是非常多時（ｘ≦０．２），則它對超導性影響性就極為微小。因此ＳｎＯ□應可作為Ｓｉ或ＳｉＯ□基板與高溫超導薄膜間的緩衝層，藉此提高超導薄膜的Ｔc 。	zh_TW
dc.language.iso	zh_TW	en_US
dc.subject	氧化物	zh_TW
dc.subject	超導體	zh_TW
dc.subject	交流感磁率	zh_TW
dc.subject	臨界電流密度	zh_TW
dc.subject	梅思堡效應	zh_TW
dc.title	鏑鋇銅氧化物高溫超導體摻錫之研究	zh_TW
dc.type	Thesis	en_US
dc.contributor.department	光電工程學系	zh_TW
顯示於類別：	畢業論文