砷化鎵金半場效電晶體中基座陷阱產生慢暫態之電路模擬模式

Abstract

在積體電路模擬程式（SPICE） 模擬中，對砷化鎵金半場效電晶體（GaAs MESFET） 的直流，交流和暫態分析已發展成功，其中暫態分析包含了由基座陷阱所產生的慢暫 態效應模型．我們也從電路模擬與二維元件模擬兩方面來比較其直流電流- 電壓特性 ．而在電路模擬中，所需要的參數是直接由實驗值測量得到或藉由最佳化的代數演繹 來尋找適合之最小平方誤差（least-square error），以模擬計算其他的電流- 電壓 值．我們由電路模擬所獲得的直流分析結果與實驗值和二維元件模擬的結果亦相當符 合。 由於砷化鎵（GaAs）中的電子具有較高的移動率，所以今日許多以砷化鎵為材料的元 件，被廣汎地使用於高頻率的通訊系統分面，因此我們也模擬了一些交流分析的例子 ，以便評估我們佈植於積體電路模擬程式（SPICE） 中的砷化鎵金半場效電晶體（Ga As）交流- 小訊號模擬分析的好壞。 在暫態分析中，由我們自己所發展出來的慢暫態模擬模型，也已證明由基座陷阱所產 生的慢態效應，對數位電路分析是非常重要的，因為它導致了砷化鎵金半場效電晶體 （GaAS MESFET） 電路中脈波變窄，減小和重合的現象．