完整後設資料紀錄
DC 欄位 | 值 | 語言 |
---|---|---|
dc.contributor.author | 桂武俊 | en_US |
dc.contributor.author | GUI, WU-JUN | en_US |
dc.contributor.author | 郭正次 | en_US |
dc.contributor.author | GU, ZHENG-CI | en_US |
dc.date.accessioned | 2014-12-12T02:06:04Z | - |
dc.date.available | 2014-12-12T02:06:04Z | - |
dc.date.issued | 1988 | en_US |
dc.identifier.uri | http://140.113.39.130/cdrfb3/record/nctu/#NT772489037 | en_US |
dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/11536/54119 | - |
dc.description.abstract | 本文採用微波電漿化學汽相沉積法做鑽石合成之研究。原料反應氣體為甲烷與氫氣。 實驗條件如下:沉積溫度500-950℃;CH4 /H2濃度比0﹒5-4%;壓力2 0-40torrs ;流量100-200cc/min 。 研究重心在於(1)利用下列分析儀器如AES ,ESCA,RAMAN ,XRD ,等來鑑定辨識 沉積膜內各種碳結構之鍵結組態且互作比較,以瞭解各儀器之優弊。(2)配合 SEM 所得之形貌,探討結構與形貌之粗略關連。(3)利用鑽石膜之SEM 形貌,簡略探討 鑽石膜之成長演進模式。(4)探討沉積參數對沉積層形貌與結構之影響。 實驗結果顯示: (1)由於鑽石膜為絕緣體,以致做AES ,ESCA分析時,表面有充電現象,使得測得 之束縛能會因表面上之穩態靜電荷而位移,因此不能確認鑽石結構。相較之下 RAMAN 能辨識各種碳結構之鍵結組態,所以是較適切。 (2)由鑽石膜之SEM 形貌得到粗略的成長模式,當甲烷/氫濃度比較高時,形貌將 由(100)鑽石面構成,此時之成長屬於多次成核成長之演進模式。 (3)當溫度過低時,結構為非晶質碳膜,溫度太高時則變為石墨,祇有適當溫度下 才能長成鑽石膜,而甲烷/氫濃度比過時,結構也將由鑽石轉變成石墨。 | zh_TW |
dc.language.iso | zh_TW | en_US |
dc.subject | 微波電漿法 | zh_TW |
dc.subject | 鑽石 | zh_TW |
dc.subject | 碳 | zh_TW |
dc.subject | 沈積 | zh_TW |
dc.subject | 絕緣体 | zh_TW |
dc.title | 微波電漿法合成鑽石薄膜之研究 | zh_TW |
dc.type | Thesis | en_US |
dc.contributor.department | 機械工程學系 | zh_TW |
顯示於類別: | 畢業論文 |