標題: | 偏壓法於非導體基材成長磊晶鑽石之研究(II) Epitaxial Growth of Diamond on Nonconductive Substrates by Biasing Enhanced Method(II) |
作者: | 張立 CHANG LI 交通大學材料科學與工程研究所 |
關鍵字: | 磊晶;鑽石;Epitaxial growth;Diamond |
公開日期: | 2000 |
官方說明文件#: | NSC89-2216-E009-006 |
URI: | http://hdl.handle.net/11536/99028 https://www.grb.gov.tw/search/planDetail?id=536593&docId=98403 |
顯示於類別: | 研究計畫 |