標題: 偏壓法於非導體基材成長磊晶鑽石之研究
Epitaxial Growth of Diamond on Nonconductive Substrates by Bias Method
作者: 張立
CHANG LI
交通大學材料科學與工程研究所
關鍵字: 射頻偏壓;磊晶成長;微波;電漿;Radio frequency bias;Epitaxial growth;Microwave;Plasma
公開日期: 1999
官方說明文件#: NSC88-2216-E009-019
URI: http://hdl.handle.net/11536/94208
https://www.grb.gov.tw/search/planDetail?id=444249&docId=80453
顯示於類別:研究計畫