標題: | 偏壓法於非導體基材成長磊晶鑽石之研究 Epitaxial Growth of Diamond on Nonconductive Substrates by Bias Method |
作者: | 張立 CHANG LI 交通大學材料科學與工程研究所 |
關鍵字: | 射頻偏壓;磊晶成長;微波;電漿;Radio frequency bias;Epitaxial growth;Microwave;Plasma |
公開日期: | 1999 |
官方說明文件#: | NSC88-2216-E009-019 |
URI: | http://hdl.handle.net/11536/94208 https://www.grb.gov.tw/search/planDetail?id=444249&docId=80453 |
顯示於類別: | 研究計畫 |