偏壓法於非導體基材成長磊晶鑽石之研究

標題:	偏壓法於非導體基材成長磊晶鑽石之研究 Epitaxial Growth of Diamond on Nonconductive Substrates by Bias Method
作者:	張立 CHANG LI 交通大學材料科學與工程研究所
關鍵字:	射頻偏壓;磊晶成長;微波;電漿;Radio frequency bias;Epitaxial growth;Microwave;Plasma
公開日期:	1999
官方說明文件#:	NSC88-2216-E009-019
URI:	http://hdl.handle.net/11536/94208 https://www.grb.gov.tw/search/planDetail?id=444249&docId=80453
顯示於類別：	研究計畫