完整後設資料紀錄
DC 欄位 | 值 | 語言 |
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dc.contributor.author | 許哲源 | en_US |
dc.contributor.author | Xu, Zhe-Yuan | en_US |
dc.contributor.author | 邱碧秀 | en_US |
dc.contributor.author | Qiu, Bi-Xiu | en_US |
dc.date.accessioned | 2014-12-12T02:06:16Z | - |
dc.date.available | 2014-12-12T02:06:16Z | - |
dc.date.issued | 1988 | en_US |
dc.identifier.uri | http://140.113.39.130/cdrfb3/record/nctu/#NT774430004 | en_US |
dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/11536/54211 | - |
dc.description.abstract | 近二、三十年來,自從厚膜釕基電阻取代原有的鈀銀合金電阻而成為厚膜電阻的主流 ,厚膜電阻已被廣泛的應用於厚膜混成積體電路、網路、電阻網路以及電子工業,如 國防、醫藥、資訊處理、通信等方面上。這是因為其具有寬廣的工作幅度,電路精密 且可靠性高,製程簡易經濟等好處。而為了達成這些目標,仔細的控制電阻特性是必 要的。保證產品品質的不二法門即是瞭解電阻的導電機構以控制影響其特性的一些參 數。 在本實驗□,在一片試片上印製了九個不同幾何形狀的電阻,用不同的電阻成分在不 同的燒結溫度(700℃∼900℃)下製造以觀測這些變因對電阻的影響。而從電 子顯微鏡分析中得知電阻微結構的變化。在此,電阻的等效電路示意圖被提出以解釋 不同幾何形狀的電阻其片電阻的差異。然後再做其電性方面的試驗以探測其對應於溫 度、頻率、雜訊等方面之關係。在溫度測試結果□,引用了不同的理論模型加以分析 。由於這些模型是以不同的物理基礎為架構,因此在比較這些理論和實驗之間的吻合 程度後,即可知道這些理論的適用溫度範圍,也可以從這些結果歸納出一個較符合實 際情形的厚膜電阻導電機構電阻。而在頻率、雜訊方面,則提供了這模型的另一方面 的佐證。 最後,從已知的資料可推導出影響厚膜電阻的因素及其影響程度,對於電阻的各種電 性也可加以模擬。而另一方面亦可對厚膜電阻造成改變的製程變因,則需更進一步加 以研究才能建立完整的模型。 | zh_TW |
dc.language.iso | zh_TW | en_US |
dc.subject | 厚膜釕基電阻 | zh_TW |
dc.subject | 電阻 | zh_TW |
dc.subject | 鈀銀合金 | zh_TW |
dc.subject | 厚膜電阻 | zh_TW |
dc.subject | 電子工程 | zh_TW |
dc.subject | ELECTRONIC-ENGINEERING | en_US |
dc.title | 厚膜釕基電阻 | zh_TW |
dc.title | Thick film RuO□-based resistors | en_US |
dc.type | Thesis | en_US |
dc.contributor.department | 電子研究所 | zh_TW |
顯示於類別: | 畢業論文 |