Growth of modified BaTiO□thin films on silicon substrate for ferroelectric memories

Abstract

以射頻磁控法來濺鍍經添飾的鈦酸鋇薄膜，此處所應用之添加物為鈣和錳，這些膜 是以陣列排列的金作為電極以測其介電常數、漏電和極化強度，而且交換性測試也 被用以解其可靠度。其介電常數約為13，而漏電在微微安培之範圍，而且加錳確實 可減少其漏電。在磁滯曲線方面，由於膜和矽的異質接面之故，其曲線不對稱。由 交換性測試，得知加鈣確實有助於膜的穩定性之提升。