標題: 砷化鋁鎵/ 砷化鎵異質介面電晶體的數值研究
Numerical study for AlGaAs/GaAs heterojunction bipolar transistors
作者: 俞大立
Yu, Dai-Li
張國明
Zhang, Guo-Ming
電子研究所
關鍵字: 砷化鋁鎵;砷化鎵;電晶體;費米-狄拉模式;耦合;電子工程;電子工程;電子工程;FERMI-DIRAC;COUPLED;ELECTRONIC-ENGINEERING
公開日期: 1988
摘要: 本論已成功的發展包含費米- 狄拉(Fermi-Dirac) 模式的異質介面電晶體的模擬器 ,我們以耦合(coupled) 的方法來求解帕森方程式,以及古典漂移擴散的傳輸方程 式。牛頓- 耦合是一種二次收斂的方法;而非耦合方法,在高電流時,往往面臨到數 值上不能收斂的困難。所以,這□我們選用耦合的方法。 我們以數值方法仔細探討砷化鋁鎵╱砷化鎵異質介面電晶體在射極方面的設計和工作 原理。其中,在電流增益,和截止頻率的表現上,三百埃漸近線性化合(linear gradig)比五百埃漸近線性化合元件表現得更好。當我們將線性漸近轉換成拋物線形 漸近時,我們所得的收穫,並不值得以如此複雜的製程來製作。而將線性漸近的部分 不摻雜質時,在低注入的情況下,有較佳的電流增益和截止頻率特性,而高注入的情 況時,電流密度則小於其他型式漸近的元件。 最後,我們以數值方法來求解波方程式,以計算電子注入射一基極間突然變化異質介 面的數量。由我們的計算得知,以熱離子發射和古典漂移擴散模型所預估的結果都太 悲觀,也不合乎實際狀況。 古典漂移擴散模型的適用性,受限於我們對非平衡傳輸現象的研究。當然以粒子- 動 量方法或動量和能量平衡方程式的求解,可以較準確地預測元件的特性,這是將來研 究的重要課題。
URI: http://140.113.39.130/cdrfb3/record/nctu/#NT774430006
http://hdl.handle.net/11536/54214
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