噴嘴吹氣結構發泡射出成型加工之研究（Ⅱ）

Abstract

噴嘴吹氣結構發泡射出成型Ⅰ（簡稱GINSF Ⅰ程序），雖然可改進氣體反壓力結構發 泡射出成型（簡稱CPSF程序）之尾端粗糙及流痕凹陷現象，但其試片尾端卻仍有流痕 存在。為了進一步消除GINSF Ⅰ試片尾端之流浪，本研究特別發展出一套噴嘴吹氣結 構發泡射出成型Ⅱ（簡稱GINSF Ⅱ程序）之新控制程序，利用提早吹氣（或稱邊射邊 吹）方法消除了流痕，使結構發泡體之表面品質更臻完美。文中將詳細探討流痕生成 及消除之原因。此外，對低壓結構發泡射出成型（簡稱SF）、CPSF、GINSF Ⅰ、GINS F Ⅱ等四種程序試片之表面品質、發泡結構、機械性質，將作一整體性之比較。另外 亦將探討加工條件對四種程序之表面品質、發泡結構、機械性質之影響。又在GINSF Ⅱ程序中之提早吹氣時間範圍，應如何隨加工條件之不同而變，及太早吹氣或太晚吹 氣對試片之影響，都將有深入探討。至於GINSF Ⅰ及GINSF Ⅱ程序中可能出現之缺點 ，及在何種加工條件較容易出現何種缺點亦有深入之探討。最後將證明GINSF Ⅱ程序 不但可使結構發泡體之表面更臻完美，且其機械性質亦不比CPSF及GINSF Ⅰ程序差， 且可充份利用舊有之設備，實為一值得開發之程序。