以電光取樣法研究光導開關

Abstract

我們利用半絕緣性砷化鎵與低溫磊晶層砷化鎵兩種不同材料來研製光導開關，並以1. 06 脈衝壓縮之鎖模式Nd:YAG雷射為光源，架設一套電取樣系統來對光導開關之時域 響應進行非侵害，非接觸式測量。其中，共面波導式光導開關符合取樣系統背向反射 式探測的需求，而達到即時取樣的目的。此外，我們的研究結果證實了低溫磊晶砷化 鎵材料在時域響應以及耐高偏壓操作的優越特性。 實驗結果發現，低溫分子束磊晶砷化鎵材料較半絕緣性砷化鎵材料具有更高之暗電阻 ，更低之暗電流，而在11微微秒脈衝光束激勵之下，其時域響應均119 微微秒，亦較 半絕緣性砷化鎵光導開關之時域響應224 微微秒為短，而由電光取樣之背向反射式探 測顯示，以半絕緣性砷化鎵材料研製之共面波導型光導開關之時域響應為93微微秒， 初步結果顯現出及時與當場式探測所之訊號光失真程度最小，證實電光取樣控測之優 越特性。