標題: 金屬/N型磷化銦MIS蕭特基接觸特性之研究
作者: 郭建利
GUO,JIAN-LI
陳茂傑
雷添福
張振雄
CHEN,MAO-JIE
LEI,TIAN-FU
ZHANG,ZHEN-XIONG
光電工程學系
關鍵字: 金屬;N型磷化銦;蕭特基接觸;本質氧化層;熱硝酸;介面層理論;光導體;電荷;(INTERFACE-LAYER-THEORY)
公開日期: 1989
摘要: 本文研究在金屬與N 型磷化銦間夾一本質氧化層時其蕭特基接觸之特性,該本質氧化 層係利用熱硝酸當氧化劑在強光照射下成長,我們利用XPS 和AES 縱深分佈兩種工具 來分析氧化層表面之化學組成,我們利用電流、電壓和電容、電壓法來膫解其電特性 ,可發現夾有氧化層的元件的特性比沒來氧化層之元件好。 在固定氧化層厚度的情形下,對金屬/ 氧化層/N型磷化銦蕭特基接觸,改變不同的金 屬,可發現其蕭特基位障高度和金屬功函數成線性關係,依介面層理論(Interiace L ayer theory), 當考慮氧化層和半導體介面間的固定電荷可求得其介面能態密度Ds=1 .1×10 ev cm ,介面固定電荷密度Qs=/q=1.7×10 cm ,依據電中性理論, 介面固定電荷為正則可知在氧化層中所帶之電荷為負。
URI: http://140.113.39.130/cdrfb3/record/nctu/#NT782123014
http://hdl.handle.net/11536/54340
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