完整後設資料紀錄
DC 欄位 | 值 | 語言 |
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dc.contributor.author | 郭建利 | en_US |
dc.contributor.author | GUO,JIAN-LI | en_US |
dc.contributor.author | 陳茂傑 | en_US |
dc.contributor.author | 雷添福 | en_US |
dc.contributor.author | 張振雄 | en_US |
dc.contributor.author | CHEN,MAO-JIE | en_US |
dc.contributor.author | LEI,TIAN-FU | en_US |
dc.contributor.author | ZHANG,ZHEN-XIONG | en_US |
dc.date.accessioned | 2014-12-12T02:06:32Z | - |
dc.date.available | 2014-12-12T02:06:32Z | - |
dc.date.issued | 1989 | en_US |
dc.identifier.uri | http://140.113.39.130/cdrfb3/record/nctu/#NT782123014 | en_US |
dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/11536/54340 | - |
dc.description.abstract | 本文研究在金屬與N 型磷化銦間夾一本質氧化層時其蕭特基接觸之特性,該本質氧化 層係利用熱硝酸當氧化劑在強光照射下成長,我們利用XPS 和AES 縱深分佈兩種工具 來分析氧化層表面之化學組成,我們利用電流、電壓和電容、電壓法來膫解其電特性 ,可發現夾有氧化層的元件的特性比沒來氧化層之元件好。 在固定氧化層厚度的情形下,對金屬/ 氧化層/N型磷化銦蕭特基接觸,改變不同的金 屬,可發現其蕭特基位障高度和金屬功函數成線性關係,依介面層理論(Interiace L ayer theory), 當考慮氧化層和半導體介面間的固定電荷可求得其介面能態密度Ds=1 .1×10 ev cm ,介面固定電荷密度Qs=/q=1.7×10 cm ,依據電中性理論, 介面固定電荷為正則可知在氧化層中所帶之電荷為負。 | zh_TW |
dc.language.iso | zh_TW | en_US |
dc.subject | 金屬 | zh_TW |
dc.subject | N型磷化銦 | zh_TW |
dc.subject | 蕭特基接觸 | zh_TW |
dc.subject | 本質氧化層 | zh_TW |
dc.subject | 熱硝酸 | zh_TW |
dc.subject | 介面層理論 | zh_TW |
dc.subject | 光導體 | zh_TW |
dc.subject | 電荷 | zh_TW |
dc.subject | (INTERFACE-LAYER-THEORY) | en_US |
dc.title | 金屬/N型磷化銦MIS蕭特基接觸特性之研究 | zh_TW |
dc.type | Thesis | en_US |
dc.contributor.department | 光電工程學系 | zh_TW |
顯示於類別: | 畢業論文 |