金屬/N型磷化銦MIS蕭特基接觸特性之研究

Abstract

本文研究在金屬與N 型磷化銦間夾一本質氧化層時其蕭特基接觸之特性，該本質氧化 層係利用熱硝酸當氧化劑在強光照射下成長，我們利用XPS 和AES 縱深分佈兩種工具 來分析氧化層表面之化學組成，我們利用電流、電壓和電容、電壓法來膫解其電特性 ，可發現夾有氧化層的元件的特性比沒來氧化層之元件好。 在固定氧化層厚度的情形下，對金屬/ 氧化層/N型磷化銦蕭特基接觸，改變不同的金 屬，可發現其蕭特基位障高度和金屬功函數成線性關係，依介面層理論(Interiace L ayer theory), 當考慮氧化層和半導體介面間的固定電荷可求得其介面能態密度Ds=1 .1×10 ev cm ，介面固定電荷密度Qs=/q=1.7×10 cm ，依據電中性理論， 介面固定電荷為正則可知在氧化層中所帶之電荷為負。