完整後設資料紀錄
DC 欄位 | 值 | 語言 |
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dc.contributor.author | 甘豐源 | en_US |
dc.contributor.author | GAN,FENG-YUAN | en_US |
dc.contributor.author | 溫增明 | en_US |
dc.contributor.author | 郭義雄 | en_US |
dc.contributor.author | 吳光雄 | en_US |
dc.contributor.author | WEN,ZENG-MING | en_US |
dc.contributor.author | GUO,YI-XIONG | en_US |
dc.contributor.author | WU,GUANG-XIONG | en_US |
dc.date.accessioned | 2014-12-12T02:06:33Z | - |
dc.date.available | 2014-12-12T02:06:33Z | - |
dc.date.issued | 1989 | en_US |
dc.identifier.uri | http://140.113.39.130/cdrfb3/record/nctu/#NT782123021 | en_US |
dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/11536/54348 | - |
dc.description.abstract | 本論文是利用脈衝雷射鍍膜法製備無需後熱處理之Y-Ba-Cu-O 之高溫超導薄膜的研究 報告。我們藉著改變基板溫度,氧氣的氣壓,熱處理條件,雷射光能量,雷射光功率 密度來找出製備較高品質之薄膜的條件。所用的脈衝雷射為倍頻之 Nd:YAG 雷射及本 實驗室自製之氙離子雷射。我們對雷射能量,基板溫度,氧氣壓力等參數對薄膜品質 的影響皆做了詳細的討論。另外,我們採用光學蝕刻法將鍍得之薄膜製成10um寬,12 5um 長的超導橋,並觀察其臨界電流密度(JC)隨著不同之溫度,及外加磁場之變化情 形。 | zh_TW |
dc.language.iso | zh_TW | en_US |
dc.subject | 脈衝雷射 | zh_TW |
dc.subject | 高溫超導薄膜 | zh_TW |
dc.subject | 鍍膜法 | zh_TW |
dc.subject | 光學蝕刻法 | zh_TW |
dc.subject | 超導橋 | zh_TW |
dc.subject | 磁場 | zh_TW |
dc.title | 脈衝雷射蒸鍍高溫超導薄膜 | zh_TW |
dc.type | Thesis | en_US |
dc.contributor.department | 光電工程學系 | zh_TW |
顯示於類別: | 畢業論文 |