脈衝雷射蒸鍍高溫超導薄膜

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DC 欄位	值	語言
dc.contributor.author	甘豐源	en_US
dc.contributor.author	GAN,FENG-YUAN	en_US
dc.contributor.author	溫增明	en_US
dc.contributor.author	郭義雄	en_US
dc.contributor.author	吳光雄	en_US
dc.contributor.author	WEN,ZENG-MING	en_US
dc.contributor.author	GUO,YI-XIONG	en_US
dc.contributor.author	WU,GUANG-XIONG	en_US
dc.date.accessioned	2014-12-12T02:06:33Z	-
dc.date.available	2014-12-12T02:06:33Z	-
dc.date.issued	1989	en_US
dc.identifier.uri	http://140.113.39.130/cdrfb3/record/nctu/#NT782123021	en_US
dc.identifier.uri	http://hdl.handle.net/11536/54348	-
dc.description.abstract	本論文是利用脈衝雷射鍍膜法製備無需後熱處理之Y-Ba-Cu-O 之高溫超導薄膜的研究報告。我們藉著改變基板溫度，氧氣的氣壓，熱處理條件，雷射光能量，雷射光功率密度來找出製備較高品質之薄膜的條件。所用的脈衝雷射為倍頻之 Nd:YAG 雷射及本實驗室自製之氙離子雷射。我們對雷射能量，基板溫度，氧氣壓力等參數對薄膜品質的影響皆做了詳細的討論。另外，我們採用光學蝕刻法將鍍得之薄膜製成10um寬，12 5um 長的超導橋，並觀察其臨界電流密度(JC)隨著不同之溫度，及外加磁場之變化情形。	zh_TW
dc.language.iso	zh_TW	en_US
dc.subject	脈衝雷射	zh_TW
dc.subject	高溫超導薄膜	zh_TW
dc.subject	鍍膜法	zh_TW
dc.subject	光學蝕刻法	zh_TW
dc.subject	超導橋	zh_TW
dc.subject	磁場	zh_TW
dc.title	脈衝雷射蒸鍍高溫超導薄膜	zh_TW
dc.type	Thesis	en_US
dc.contributor.department	光電工程學系	zh_TW
顯示於類別：	畢業論文