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dc.contributor.author王政堂en_US
dc.contributor.authorWANG,ZHENG-TANGen_US
dc.contributor.author張俊彥en_US
dc.contributor.author劉增豐en_US
dc.contributor.authorZHANG,JUN-YANen_US
dc.contributor.authorLIU,ZENG-FENGen_US
dc.date.accessioned2014-12-12T02:06:34Z-
dc.date.available2014-12-12T02:06:34Z-
dc.date.issued1989en_US
dc.identifier.urihttp://140.113.39.130/cdrfb3/record/nctu/#NT782159002en_US
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/11536/54360-
dc.description.abstract籍由快速升溫化學束磊晶法(RTCBE) ，我們在(100) 的矽晶片上低溫成長出矽(Si)及 矽鍺(SiGe)的磊晶層, 其中的矽及矽鍺薄膜的長成溫度分別為550 到750℃525到600 ℃。我們使用橫截面穿透式電子顯微境(XTEM)量測磊晶膜的厚度，并藉此求得成長速 率及其反應活化能；同時，利用電子顯微境的選區繞射亦可證實薄膜的高結晶度。矽鍺 磊晶層的化學成份及界面應力情形，吾人則利用雙晶體X 射線繞射及電子顯徽鏡的繞 射圖形計算求得。此外，此磊晶層所結構的P-n 二極體具有1.06的正向電流係數(ide ality factor) 及理想的負偏壓崩潰情形, 此優良的電性肯定此磊晶膜進一步應用於 元件的可行性。zh_TW
dc.language.isozh_TWen_US
dc.subject化學束磊晶zh_TW
dc.subject矽鍺磊晶zh_TW
dc.subject磊晶片zh_TW
dc.subject成長溫度zh_TW
dc.subject反應活化能zh_TW
dc.subject界面應力zh_TW
dc.subjectIDEALITY-FACTORen_US
dc.title以快速升溫化學束磊晶法成長矽鍺磊晶及其特性分析zh_TW
dc.typeThesisen_US
dc.contributor.department材料科學與工程學系zh_TW
Appears in Collections:Thesis


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