蒸鍍結耩對Pd SI/SI蕭基二極體電性影響

Abstract

本論文主要是研究將鈀金屬和矽元素用不同的蒸鍍結構，經過熱成長後所形成的鈀矽 化物，在N 形矽上形成蕭基二極體的電性。這些結構包括多層(Multilayer), 共沈積 (Co-deposition) ，及傳統的單層(Single Layer)金屬蒸鍍結構。 經由各種不同的薄膜分析技術，如X - 射線繞射, 歐傑電子能譜, 及穿透式電子顯微 鏡等儀器的分析, 我們發現傳統的單層金屬結構, 在矽化過程中, 介面會產生劇烈的 變化, 不僅接觸深度較深, 而且介面平整度亦較差。當金屬厚度增加時，這種現象則 更加明顯。 然而，由多層及共沈積二種方法所蒸鍍的試片，熱成長後年得的Pd Si /Si 介面則非 常平整，這些結果與在蕭基二極體上觀察到的電性變化相當一致。例如，利用多層及 共沈積二種方法所製成的蕭基二極體，其電流－ 電壓特性，包括漏電流，崩潰電壓 及熱穩定性，均優於傳統的單層金屬結構，并隨著金屬厚度的增加而增加而有明顯的 趨勢。 因此，本研究對於實際積體電路製程的發展，尤其是金氧半(MOS) 元件中如何選用金 屬蒸鍍的結構，以取得最佳之電性，有著非常重要的價值。