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dc.contributor.author吳集錫en_US
dc.contributor.authorWU,JI-XIen_US
dc.contributor.author雷添福en_US
dc.contributor.author謝太炯en_US
dc.contributor.authorLEI,TIAN-FUen_US
dc.contributor.authorXIE,TAI-JIONGen_US
dc.date.accessioned2014-12-12T02:06:55Z-
dc.date.available2014-12-12T02:06:55Z-
dc.date.issued1989en_US
dc.identifier.urihttp://140.113.39.130/cdrfb3/record/nctu/#NT782429003en_US
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/11536/54590-
dc.description.abstract首先研究以低壓化學氣相沉積法在540∼625℃沉積矽晶薄膜, 再以低溫600℃ 回火24 小時, 而後在這些薄膜上制作電晶體。以540℃ 制成之薄膜電晶體有最好之電特性, 如臨限電壓小到1.5 伏特, 開/ 關電流比大到8 個數量級等。由探討薄膜厚度可以發 現愈薄的薄膜制成之電晶體有較佳之輸出特性。另外還研究以1000,1050,1100℃濕氧 氧化對矽晶薄膜之晶粒構造及對薄膜電晶體特性的影響, 發現1100℃氧化之薄膜電晶 體因增加過飽和的矽摻雜質而有好的結果。最後還研究了再次回火對薄膜電晶體之影 響, 結果發現回火溫度愈高及回火時間愈長有較佳之結果。zh_TW
dc.language.isozh_TWen_US
dc.subject低溫結晶zh_TW
dc.subject低壓化學zh_TW
dc.subject氣相沉積zh_TW
dc.subject非晶矽薄膜zh_TW
dc.subject電晶体zh_TW
dc.subject製程效應zh_TW
dc.title低溫結晶低壓化學氣相沉積非晶矽薄膜電晶體之製程效應zh_TW
dc.typeThesisen_US
dc.contributor.department電子物理系所zh_TW
顯示於類別：畢業論文


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