標題: | 以十二甲基環己矽烷低壓化學氣相沉積碳化矽薄膜 |
作者: | 李淑芬 LI,SHU-FEN 裘性天 QIU,XING-TIAN 應用化學系碩博士班 |
關鍵字: | 十二甲環己矽烷;低壓化學;碳化矽薄膜;AES;XRD;ESCA;SEM;STEM;ED |
公開日期: | 1990 |
摘要: | 本實驗以有機金屬化合物十二甲基環己矽烷(siMe ) 為單一來源起始物, si(100) 及si(11)矽晶片為基材, 應用熱壁水平式石英管為反應器在壓力約2x10 torr而溫度 950∼1200 ℃間進行低壓化學氣相沉積反應, 所得薄膜經X 光繞射儀(XRD: X-Ray di ffraction)、歐杰電子儀(AES: Auger Electron Spectroscopy)、化學分析電子儀(E SCA:Electron Spectro-scopy for Chemical Analysis) 、富立葉轉變紅外光譜儀(F T-IR:Fourier Transform Infrared Spectroscopy) 、掃描式電子顯微鏡(SEM:Scann ing Electron Microscope)、掃描穿透式電子顯微鏡(STEM:Scanning Transmission Electron Microscope)以及電子繞射儀(ED:Electron Diffraction) 分析後證實是多 晶性碳化矽, 且薄膜結晶度、元素組成和表面型態與溫度高低或其材種類關係甚鉅。 |
URI: | http://140.113.39.130/cdrfb3/record/nctu/#NT792500013 http://hdl.handle.net/11536/55528 |
顯示於類別: | 畢業論文 |