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dc.contributor.author邱建榮en_US
dc.contributor.authorQIU,JIAN-RONGen_US
dc.contributor.author沈文仁en_US
dc.contributor.authorSHEN,WEN-RENen_US
dc.date.accessioned2014-12-12T02:07:19Z-
dc.date.available2014-12-12T02:07:19Z-
dc.date.issued1989en_US
dc.identifier.urihttp://140.113.39.130/cdrfb3/record/nctu/#NT782430129en_US
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/11536/54742-
dc.description.abstract長久以來,序相電路的測試被認為是一件很難的事件。一種受喜歡的方法,是將序相 電路的記憶元件改為可控制和可觀察。它是將序相電路的測試轉換為組合電路的測試 。例如:掃描設計 (scan design)。掃描設計的方法,已將原來複雜的序相電路測試 改為較簡單的組合電路測試,但是它較浪費面積。而且掃描設計需要較長測試的時間 ,因為它需要將測試向量一個個慢慢的送入和送出記憶元件。 在本論文中,我們提出一種有限狀態機的合成步驟。它施由狀態圓形描述產生一個完 全而且容易測試的有限狀態機。此合成步驟括:1)狀態化簡,2)有限制的狀態編碼, 3)邏輯化簡。 由於其他論文所提出關於容易而且完全測試的有限狀態機,需要較大的面積來合成, 這是由於它使用下列的三個步驟所引起:一、有限制的狀態編碼,二、將所有狀態擴 充為2 N個狀態,三、邏輯分割。本論文中所提出的方法,不需要將所有狀態擴充為 2 N個狀態,僅需要一個合適的重置狀態(suitable reset state)即可。此外我們利 用反相等位不變(inversion parity invariant)電路中,障礙與非障礙 (fault and fault-free states)具有嚴格互控(mutually dominant) 的特性,所以不需要邏輯分 割。因此,利用此合成步驟,我們可以得到一個面積和性能較好的有限狀態機。 假使我們只考慮完全可測試性,那麼在有限狀態機中,有些障礙需要很長的測試時間 才能測出,但是這些障礙無法被測試樣本產生器測到。因此,本論文提出另一種完全 和容易測試的合成步驟,它具有百分之百可測試性和需要較短測試時間的優點,而且 不需外加任何邏輯電路,既可達到此目標。zh_TW
dc.language.isozh_TWen_US
dc.subject多層有限狀態zh_TW
dc.subject合成研究zh_TW
dc.subject序相電路zh_TW
dc.subject記憶元件zh_TW
dc.subject掃描設計zh_TW
dc.subject組合電路測試zh_TW
dc.subject狀態化簡zh_TW
dc.subject有限制的狀態編碼zh_TW
dc.title具有容易和完全可測試多層有限狀態的合成研究zh_TW
dc.typeThesisen_US
dc.contributor.department電子研究所zh_TW
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