以低壓化學氣相沉積氧化鉭和氧化鈦薄膜在動態隨機記憶體元件技術之研究

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Authors

Keywords

氧化鈦 , 氧化鉭 , 動態隨機記憶體 , 記憶元件 , Tantalum penoxide , Titanium dioxide , DRAM , Memory device

URI

https://www.grb.gov.tw/search/planDetail?id=234532&docId=43045
https://ir.lib.nycu.edu.tw/handle/11536/96099

Collections

研究計畫;;Research Plans