以低壓化學氣相沉積氧化鉭和氧化鈦薄膜在動態隨機記憶體元件技術之研究

Title:	以低壓化學氣相沉積氧化鉭和氧化鈦薄膜在動態隨機記憶體元件技術之研究 Research on LPCVD Ta/sub 2/0/sub 5/ and TiO/sub 2/ Thin Films for Gigabit DRAM Memory Devices
Authors:	羅正忠國立交通大學電子工程學系
Keywords:	氧化鈦;氧化鉭;動態隨機記憶體;記憶元件;Tantalum penoxide;Titanium dioxide;DRAM;Memory device
Issue Date:	1996
Gov't Doc #:	NSC85-2215-E009-047
URI:	http://hdl.handle.net/11536/96099 https://www.grb.gov.tw/search/planDetail?id=234532&docId=43045
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APA	羅. (1996). 以低壓化學氣相沉積氧化鉭和氧化鈦薄膜在動態隨機記憶體元件技術之研究. https://www.grb.gov.tw/search/planDetail?id=234532&docId=43045.
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