以低壓化學氣相沉積氧化鉭和氧化鈦薄膜在動態隨機記憶體元件技術之研究

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DC 欄位	值	語言
dc.contributor.author	羅正忠	en_US
dc.date.accessioned	2014-12-13T10:39:07Z	-
dc.date.available	2014-12-13T10:39:07Z	-
dc.date.issued	1996	en_US
dc.identifier.govdoc	NSC85-2215-E009-047	zh_TW
dc.identifier.uri	http://hdl.handle.net/11536/96099	-
dc.identifier.uri	https://www.grb.gov.tw/search/planDetail?id=234532&docId=43045	en_US
dc.description.sponsorship	行政院國家科學委員會	zh_TW
dc.language.iso	zh_TW	en_US
dc.subject	氧化鈦	zh_TW
dc.subject	氧化鉭	zh_TW
dc.subject	動態隨機記憶體	zh_TW
dc.subject	記憶元件	zh_TW
dc.subject	Tantalum penoxide	en_US
dc.subject	Titanium dioxide	en_US
dc.subject	DRAM	en_US
dc.subject	Memory device	en_US
dc.title	以低壓化學氣相沉積氧化鉭和氧化鈦薄膜在動態隨機記憶體元件技術之研究	zh_TW
dc.title	Research on LPCVD Ta/sub 2/0/sub 5/ and TiO/sub 2/ Thin Films for Gigabit DRAM Memory Devices	en_US
dc.type	Plan	en_US
dc.contributor.department	國立交通大學電子工程學系	zh_TW
顯示於類別：	研究計畫