非晶矽氫和非晶矽碳氫在密接型影像感測器之應用

Abstract

在本論文中，非晶矽氫和非晶矽碳氫正本負雙異質接面型光二極體已研製成功。不同 感光層厚度和摻雜濃度對光二極體特性之影響為本文主要探討之重點。本質層厚度為 6000埃的光二極體，其暗電流密度為10 安培╱平方毫米，而明暗電流比為10 至 10 間。厚度為7000埃者，其暗電流密度為10 安培╱平方毫米，而明暗電流比為 10 至10 間。厚度為8000埃者，其暗電流密度為10 安培╱平方毫米，明暗電 流比為10 以上。量子效率在波長為6000埃時為0.88，5000埃時高達 2.4。在光響應 厚度為7000埃時，其響應時間約5 微秒，但在較高頻時響應變差。厚度為8000埃時， 其響應時間亦約5 微秒，而在頻率為50KHZ 時其響應時間約 0.5微秒。它所以能在較 高頻的時候有較好的光響應，是因我們給予負層較高的摻雜濃度。另外在我們所製作 的光二極體陣列，其明暗電流比約為10 。 另外在與工研院電子所的合作計畫中，我們成功開發出具有良好的影像處理能力之光 導電型密接影像感測器。光導體之明暗電流比為 3個位數，非晶矽薄膜電晶之開關電 流比為8 個位數。而輸出電壓與照光強度的關係，在對數型式下呈出一線性關係。