Full metadata record
DC Field | Value | Language |
---|---|---|
dc.contributor.author | 張志宇 | en_US |
dc.contributor.author | ZHANG,ZHI-YU | en_US |
dc.contributor.author | 陳茂傑 | en_US |
dc.contributor.author | 曾俊元 | en_US |
dc.contributor.author | CHEN,MAO-JIE | en_US |
dc.contributor.author | ZENG,JUN-YUAN | en_US |
dc.date.accessioned | 2014-12-12T02:07:21Z | - |
dc.date.available | 2014-12-12T02:07:21Z | - |
dc.date.issued | 1989 | en_US |
dc.identifier.uri | http://140.113.39.130/cdrfb3/record/nctu/#NT782430147 | en_US |
dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/11536/54762 | - |
dc.description.abstract | 吾人使用自製之單靶式直流濺射鍍膜系統,以38毫米直徑之YBa Cu Oy 之塊材為靶, 再將基板溫度控制在 680至 690℃之間,為了防止反濺鍍(back-scattering) 效應, 選擇成長壓力在700mTorr高壓下進行,氧氣與氬氣的流量比為一比五,所得成長速率 為0.5 埃,並將濺鍍所得之薄膜,在氧的氣氛下,經由適當的退火處理可得到臨界溫 度在89°K 的高品質 C軸方向之鏡面薄膜。此外,這些成長所得之薄膜,再以光製版 術及化學蝕刻法製成蜿蜒狀的微橋,經由波長為0.94微米之紅外線脈波照射,在脈波 頻率為20赫芝之下,可得到每單位入射功率 6.1伏特之響應,這個響應純綷是由熱效 應所造成,並未發現有超導電子對因受光破壞而造成之量子現象。經由實驗分析可知 ,此種吸放熱機制用於紅外線偵測,其反應延遲約在 0.1毫秒範圍,與量子效應反應 延遲(約若干毫微秒)比較起來,似乎是慢了一些,而且如欲改進其頻率響應,基板 的選擇、薄膜的品質以及偵測器的形狀,都必須做一併的考量。在這實驗中,我們選 擇了MgO 及SrTiO 兩種基板做比較,發現有若干非正常的現象,值得特別加以討論。 本論文在此提出若干可能的原因加以解釋,希望能對此種吸放熱效應提供更深一層的 認識。 | zh_TW |
dc.language.iso | zh_TW | en_US |
dc.subject | 釔鋇銅氧高溫超導 | zh_TW |
dc.subject | 紅外線偵測 | zh_TW |
dc.subject | 單靶式直流濺射鍍 | zh_TW |
dc.subject | 基板溫度 | zh_TW |
dc.subject | 光製版術 | zh_TW |
dc.subject | 化學蝕刻法 | zh_TW |
dc.subject | 熱效應 | zh_TW |
dc.title | 釔鋇銅氧高溫超導薄膜製作及其在紅外線偵測方面之應用 | zh_TW |
dc.type | Thesis | en_US |
dc.contributor.department | 電子研究所 | zh_TW |
Appears in Collections: | Thesis |